أعلنت شركة سامسونج للتو بأنها بدأت عملية الإنتاج الضخمة لأول سعة تخزين فلاشية eUFS بحجم 512 جيجابايت للأجهزة المحمولة، مما يشير إلى إمكانية حصول هواتف فئة جالاكسي القادمة على هذه السعة التخزينية الكبيرة.
وتعطي الرقاقة الجديدة 512 جيجابايت من السعة التخزينية الجديدة بالاعتماد على احدث رقائق سامسونج من نوع V-NAND، جنبًا إلى جنب مع توفيرها أداءًا متميزًا للهواتف الذكية والأجهزة اللوحية.
وتستهدف عملية التصنيع استعمال هذه الحلول ضمن الأجيال التالية من الأجهزة المحمولة بمختلف أنواعها، حيث تتألف رقاقة التخزين الفلاشية الجديدة من ثمانية رقائق V-NAND مع رقاقة تحكم مجموعة معًا.
وتوفر السعة التخزينية الإضافة تجربة استعمال أفضل من حيث السماح للهاتف الذكي بتخزين ما يقرب من 130 مقطع فيديو بدقة 3840×2160 بيكسل، أي بزيادة عشرة أضعاف عن ما كانت توفره رقاقة 64 جيجابايت.
وأدخلت سامسونج مجموعة جديدة من التقنيات الخاصة بها لتحقيق أقصى قدر من الأداء والكفاءة من حيث الطاقة بالنسبة للرقاقة الجديدة، حيث يقلل التصميم المتطور والتقنية الجديدة لإدارة الطاقة من الزيادة المفترضة في الطاقة المستهلكة.
وتسمح الرقاقة بتوفير أداءً قويًا من حيث سرعة القراءة والكتابة، مع وصول سرعة القراءة والكتابة المتتابعة إلى 800 و255 ميجابايت في الثانية الواحدة على التتابع، وتسمح هذه السرعات بنقل مقطع فيديو عالي الدقة بحجم 5 جيجابايت إلى قرص SSD في حوالي ست ثوان.
وتمتلك معظم نماذج الهواتف الجديدة سعة تخزينية تتراوح بين 128 و256 جيجابايت، لكن رقاقة سامسونج الجديدة تعتبر بمثابة ضعف أو أربعة أضعاف تلك الأحجام، وتعتبر الرقاقة الجديدة مثيرة للاهتمام من حيث أنها تعمل على مضاعفة السعة التخزينية لرقاقة 256 جيجابايت السابقة من شركة سامسونج، ولكن ضمن نفس المساحة المادية المطلوبة.
